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智能手机氮化镓应用新突破,英诺赛科BiGaN率先突围

充电头网编辑部 充电头网 2022-10-11


前言


6月28日,广东省终端快充行业协会第一届插拔大会UFCS技术研讨会顺利进行。会上,协会技术委员会、技术研究工作组对快充发展趋势、UFCS技术标准关键要点、UFCS技术前沿成果进行了详细介绍。


技术专家在会上展示英诺赛科Bi-GaN产品

本届终端快充行业协会插拔大会加快推动了终端快充技术标准化、标准产业化发展。汇聚了快充产业生态的各方力量,联合开展面向未来快充产业的相关应用场景、需求、技术、标准的研究及应用推广。

 

英诺赛科Bi-GaN产品在手机主板上的应用

 

在本届终端快充行业协会插拔大会上,OPPO VOOC闪充之父向公众首次展示了英诺赛科 Bi-GaN 系列产品,Bi-GaN 系列产品中的 INN40W08 氮化镓开关管也一并亮相。

 

 

英诺赛科 INN40W08 是Bi-GaN产品系列中一款40V增强型开关管,采用WLCSP 2x2封装,体积十分小巧。芯片支持双向开关,导通电阻低至7.8mΩ,可应用在智能手机充电过压保护电路、高压侧负载开关电路、多电源系统的开关电路等场景中。

 

充电头网获悉,OPPO已经有量产机型采用了氮化镓开关管,成为全球⾸个内置氮化镓充电保护的手机厂商,后续机型也将大批量应用,在业内具有非凡意义。

 

BiGaN亮点纷呈

 

长期以来,手机内部电源开关器件都采用硅材质MOSFET器件,由于体积与阻抗的限制,不仅占据了手机主板上大量空间,而且在面对大功率快充时,硅MOSFET会产生较大的温升与效率损耗,影响快充的稳定性与大功率持续时间。

 

氮化镓作为第三代半导体材料,具备高频高效、低导阻等优越特性,在充电上具有至关重要的作用。以往的充电保护都是通过将氮化镓功率器件内置在手机充电器中,Bi-GaN 以创新的方式将氮化镓芯片内置于手机。

 

 

得益于氮化镓单位面积导阻小以及无寄生体二极管的特性,可以使用1颗Bi-GaN替代之前的共漏连接的背靠背NMOS,实现电池的充电和放电电流的双向开关,在相同占板面积下导通电阻降低50%,温升降低40%。

 

随着手机充电功率的不断提升,英诺赛科Bi-GaN系列产品不仅能节省手机内部宝贵的空间,还能降低手机在充电过程中的温升,在快速充电时可以保持比较舒适的机身温度,延长快充持续时间,为用户提供更好的充电使用体验。

 

充电头网获悉,英诺赛科即将发布 BiGaN 系列下一代产品——INN040W048A,在尺寸不变的情况下,Rds on 减小50%,导通损耗更小,在更高功率的快充场景中更具竞争力,让我们拭目以待。

 

充电头网总结

 

在氮化镓领域深耕多年的英诺赛科,拥有全球领先的芯片制造能力,在8英寸硅基氮化镓核心技术和关键工艺领域实现了重大突破,产品性能已达到国际先进水平,在产品及方案设计上与多家一线品牌开展了深度合作,广受客户认可。其Bi-GaN产品在智能手机内部电源开关领域的落地,也标志着氮化镓应用的全新时代已经到来。

 

至此,氮化镓在消费类快充领域的应用已经步入快车道。而在不远的未来,凭借其高功率密度、高频高效的特性,应用范围还将逐步拓展到新能源汽车、太阳能、数据中心、人工智能、5G通信等领域,成为人们生活中必不可少的一部分。

 

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